Soitec et NTU Singapore : Des avancées révolutionnaires vers la 6G grâce au GaN
Bernin, France – 2 mars 2026 - Soitec (Euronext Paris), leader mondial dans le domaine des matériaux semi-conducteurs innovants, a annoncé des résultats prometteurs issus de sa collaboration avec l’Université de technologie de Nanyang (NTU Singapore) lors du Mobile World Congress 2026. Ce partenariat de recherche, qui s'étend sur quatre ans, vise à développer les technologies nécessaires pour la connectivité 6G, alors que la 5G continue de se généraliser.
Les travaux conjoints ont abouti à la publication de trois articles techniques de référence, démontrant les performances exceptionnelles des dispositifs en nitrure de gallium (GaN) fabriqués sur les plaquettes d’épitaxie avancées de Soitec. Ces résultats marquent une avancée significative pour la connectivité 6G, notamment dans les bandes de fréquences FR3 et millimétriques (mmWave).
Avec l’augmentation des exigences en matière de densité de puissance, de bande passante et d’efficacité énergétique, les recherches montrent que le GaN sur silicium pourrait devenir un complément essentiel aux technologies traditionnelles à base d’arséniure de gallium (GaAs) pour les modules radiofréquence (RF) des smartphones et autres appareils mobiles. En effet, les chercheurs de NTU ont atteint des niveaux de puissance ajoutée d’efficacité (PAE) supérieurs à 60 % en mmWave, confirmant ainsi l’adéquation de ces substrats pour des solutions RF intégrées et économes en énergie.
Ces avancées soulignent la capacité du GaN sur silicium à allier performances RF élevées et avantages économiques liés aux plateformes silicium, tels que le coût, l'évolutivité et l'intégration. Par rapport aux solutions GaAs, le GaN-on-Si offre une meilleure gestion thermique et permet des architectures RF plus compactes et efficaces, ouvrant ainsi la voie à des stations de base 6G plus petites et plus économes en énergie.
Christophe Maleville, Directeur général adjoint chez Soitec, a déclaré : « Ces travaux de recherche démontrent clairement le rôle central que joueront les substrats de pointe dans le développement des technologies 6G. Notre collaboration avec NTU confirme que le GaN sur silicium peut offrir des performances RF de premier plan, tout en répondant aux exigences de coût et d’intégration des futurs appareils mobiles. »
Soitec sera présent au MWC 2026 pour discuter de ces innovations et de sa gamme de matériaux semi-conducteurs. Les partenaires industriels et les passionnés de technologie sont invités à visiter le stand 2A21MR dans le Hall 2 pour découvrir comment les plaquettes d’épitaxie avancées façonnent l’avenir de l’écosystème mondial du GaN. Avec près de 4 300 brevets déposés et une présence internationale, Soitec continue de jouer un rôle crucial dans le secteur des semi-conducteurs, ciblant des marchés stratégiques tels que les communications mobiles, l'automobile et l'IA Cloud.
Analyse de l'actualité :
Soitec, leader mondial dans le domaine des matériaux semi-conducteurs, annonce des avancées prometteuses en collaboration avec NTU Singapore pour le développement de la technologie 6G. Cette annonce est d'une importance capitale, car elle positionne Soitec comme un acteur clé dans l'évolution vers la connectivité de nouvelle génération, alors que la 5G continue de se déployer.
Les résultats de cette collaboration, qui incluent la publication de trois articles techniques de référence, mettent en évidence les performances du nitrure de gallium (GaN) sur silicium, ce qui pourrait révolutionner les modules radiofréquence (RF) pour smartphones et autres appareils mobiles. Les niveaux de puissance ajoutée d’efficacité (PAE) supérieurs à 60 % en mmWave indiquent non seulement une avancée technologique, mais aussi un potentiel économique significatif pour Soitec.
Le fait que le GaN sur silicium soit une alternative viable aux technologies traditionnelles à base d’arséniure de gallium (GaAs) renforce la position de Soitec sur le marché. La capacité à offrir des solutions RF plus compactes et économes en énergie est un atout majeur dans un secteur où la demande pour des dispositifs plus performants et moins coûteux ne cesse d'augmenter.
La déclaration de Christophe Maleville, Directeur général adjoint, souligne le rôle central des substrats de pointe dans le développement futur des technologies 6G. En participant au MWC 2026, Soitec cherche à renforcer sa visibilité et son influence dans l'écosystème technologique, attirant ainsi des partenaires industriels et des passionnés.
En résumé, cette annonce est très positive pour Soitec, car elle démontre une innovation significative et un potentiel de croissance dans un marché en pleine expansion. Cela devrait avoir un impact favorable sur la perception des investisseurs et, par conséquent, sur le cours de bourse de la société.